Share This Post

Frontpage / Hardware

Samsung DDR4: Περισσότερο energy efficient η επόμενη γενιά

Samsung DDR4: Περισσότερο energy efficient η επόμενη γενιά

Σε διαδικασία παραγωγής μπήκε η επόμενη γενιά των DDR4 DRAM των 10nm σύμφωνα με την Samsung, γεγονός που θα ρίξει τις τιμές των μνημών. Ωστόσο memory ICs δεν χρησιμοποιούν μόνο οι RAM. Hardware όπως η κάρτα γραφικών, επηρεάζεται άμεσα από την κυκλοφορία που ετοιμάζει η εταιρεία. Η Samsung έχει ένα πιο επιθετικό πρόγραμμα παραγωγής με τη δεύτερη γενιά 10nm DRAM ώστε να βάλει καλύτερα θεμέλια στην αγορά για το επόμενο έτος.

Η νέα γενιά DRAM, έχει 30% πιο αποτελεσματική παραγωγή σε σχέση με την προηγούμενη. Η Samsung δεν χρησιμοποιεί πλέον EUV διαδικασία αλλά ένα high-sensitivity cell data sensing system και ένα νέο “air spacer” σύστημα. Στις κυψέλες αυτές, ένα νέο σχεδιασμένο σύστημα ανίχνευσης δεδομένων επιτρέπει τον ακριβέστερο προσδιορισμό των δεδομένων που είναι αποθηκευμένα σε κάθε κελί, γεγονός που οδηγεί σε σημαντική αύξηση του επιπέδου ολοκλήρωσης κυκλωμάτων και της κατασκευής.

Επίσης η δεύτερη γενιά αναμένεται να έχει καλύτερες επιδόσεις σε σχέση με τον προκάτοχο της. Το νέο 8Gb DDR4 μπορεί να λειτουργήσει σε 3.600Mbps ανά pin σε σύγκριση με την πρώτη γενιά που λειτουργεί στα 3200Mbps. Επιπλέον η εταιρεία υποστηρίζει πως η νέα γενιά διαθέτει 10-15% καλύτερη ενεργειακή απόδοση

Οι νέες αυτές προδιαγραφές των 10nm θα ενταχθούν και στις DDR5, GDDR6 και ΗΒΜ3, με την ίδια να υποστηρίζει πως επιταχύνεται και η διαδικασία παραγωγής τους.

Share This Post